Пошуковий запит: (<.>A=Боровий М$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 13
Представлено документи з 1 до 13
|
1. |
Боровий М. О. Особливості KL22,3- та KL32,3-іонізації атомів кремнію електронним ударом [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, Р. М. Іщенко, Г. Л. Ісаєнко // Вісник [Національного транспортного університету]. - 2013. - № 28. - С. 71-79. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2013_28_13
|
2. |
Боровий М. О. Модель рентгенівської М-емісії для атомів Аu [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, P. M. Іщенко // Вісник [Національного транспортного університету]. - 2011. - № 24(2). - С. 342-345. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2011_24(2)__84
|
3. |
Боровий М. О. Особливості іонізації М-підоболонок атомів Рb при електронному ударі [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, P. M. Іщенко, Г. Л. Ісаєнко // Вісник [Національного транспортного університету]. - 2012. - № 26(2). - С. 476-482. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2012_26(2)__95
|
4. |
Гололобов Ю. П. Вплив оптичного опромінення на температурні зміни структури кристалів пруститу [Електронний ресурс] / Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий, Г. Л. Ісаєнко, А. В. Сальнік // Вісник [Національного транспортного університету]. - 2014. - № 29(1). - С. 56-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2014_29(1)__9
|
5. |
Боровий М. О. Відношення інтегральних перерізів іонізації L-підоболонок атомів вольфраму при електронному ударі [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, P. M. Іщенко // Вісник [Національного транспортного університету]. - 2010. - № 21(2). - С. 379-383. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2010_21(2)__93
|
6. |
Боровий М. О. Електропровідність на постійному струмі політипів кристалів TlInS2 [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, Ю. П. Гололобов, Г. Л. Ісаєнко, А. Б. Надточій, А. В. Ніколаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2017. - № 1. - С. 26-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2017_1_6
|
7. |
Боровий М. О. Виникнення та трансформація нерозмірно модульованої структури в політипах напівпровідників TlInS2 [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, Ю. П. Гололобов, Г. Л. Ісаєнко, А. В. Ніколаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2016. - № 1. - С. 60-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2016_1_10
|
8. |
Боровий М. О. Особливості теплового розширення політипів кристалів TlInS2 в інтервалі температур Т=180 – 300 К [Електронний ресурс] / М. О. Боровий, Ю. П. Гололобов, Г. Л. Ісаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2018. - № 1. - С. 53-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2018_1_8
|
9. |
Ніколаєнко А. В. Електропровідність С та 2С-політипів сегнетоелектрика TlInS2 в діапазоні температур 100К–300К [Електронний ресурс] / А. В. Ніколаєнко, А. Б. Надточій, Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2016. - Вип. 3. - С. 151-154. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2016_3_30
|
10. |
Аль-Омари М. А. М. Особливості генерації параметричного рентгенівського випромінення у порошках мікророзмірних частинок алмазу [Електронний ресурс] / М. А. М. Аль-Омари, М. О. Боровий // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2017. - Вип. 4. - С. 175-178. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2017_4_34 Розроблено та відпрацьовано методику експериментального дослідження інтенсивності та форми максимумів параметричного рентгенівського випромінення (ПРВ) у зворотній геометрії реєстрації за розповсюдження пучка електронів з енергією 7 Мев у полікристалічних зразках алмазу. Встановлено, що відношення інтенсивностей максимумів ПРВ від кристалографічних площин (111) та (200) N(111)/N(200) зменшується удвічі у разі зростання розмірів кристалітів від 0,3 мкм до 6 мкм, тоді як ширина максимумів на половині висоти залишається незмінною. Чутливість відношення інтенсивностей ліній ПРВ до розмірів кристалітів може бути покладена в основу нового методу оцінки розмірів частинок мікро- та наночастинок.
|
11. |
Ніколаєнко А. В. Рентгенівська дилатометрія С та 2С політипів сегнетоелектрика TlInS2 в діапазоні температур 180 К - 300 К [Електронний ресурс] / А. В. Ніколаєнко, Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2017. - Вип. 1. - С. 133-136. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2017_1_25
|
12. |
Гололобов Ю. П. Особливості змін параметрів структури напівпровідника Ag3AsS3 [Електронний ресурс] / Ю. П. Гололобов, М. О. Боровий, А. В. Ніколаєнко // Вісник Національного транспортного університету. - 2020. - № 1. - С. 73-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vntu_2020_1_10
|
13. |
Дмитришин Б. В. Бізнес-аналітика та її роль в управлінні конкурентоспроможністю підприємства [Електронний ресурс] / Б. В. Дмитришин, М. В. Боровий // Центральноукраїнський науковий вісник . Економічні науки. - 2020. - Вип. 5. - С. 214-220. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Npkntu_e_2020_5_24
|